Struktura a vlastnosti Schottkyho diody ji činí vhodnou pro vysokofrekvenční usměrnění v nízkonapěťových a velkých proudových výstupních polích, detekci a směšování na velmi vysokých frekvencích (jako je pásmo X, C, S a Ku pásmo) a upínání ve vysokorychlostních logických obvodech. Schottkyho diody se často používají v integrovaných obvodech. Integrované obvody, jako jsou Schottkyho diody, se staly hlavním proudem TTL obvodů a jsou široce používány ve vysokorychlostních počítačích.
Elektrické parametry Schottkyho diody používané pro detekci a směšování zahrnují kromě charakteristických parametrů běžné PN přechodové diody také mezifrekvenční impedanci (vztahuje se na impedanci Schottkyho diody při přivedení jmenovitého lokálního oscilačního výkonu na specifikovaná střední frekvence, obecně mezi 200 Ω a 600 Ω), poměr stojatých vln napětí (obecně menší nebo rovný 2) a šumové číslo.
